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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
66
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
54
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2938
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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