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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En -187% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2390
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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