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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.7
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
1767
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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