RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
86
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
86
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
1469
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link