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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
66
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
40
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
1773
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
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