RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
66
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
43
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2794
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link