RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
66
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3064
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link