RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
66
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3343
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link