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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2511
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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