RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2878
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link