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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2394
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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