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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3306
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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