RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2629
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link