RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3477
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link