RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3402
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link