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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
12.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1758
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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