RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
46
En -119% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3437
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link