RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3568
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link