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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3568
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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