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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3293
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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