RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
19.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
46
En -171% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
17
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3829
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link