RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2987
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link