RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
46
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2545
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link