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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En -24% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2765
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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