RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2960
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link