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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
50
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
50
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2393
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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