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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
2,061.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
1844
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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