RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2848
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link