RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2462
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link