RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3552
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link