RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
3562
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link