RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
67
En -168% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2786
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link