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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
67
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3285
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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