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AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Compara
AMD AE34G1601U1 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
67
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3271
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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