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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
67
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
46
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2632
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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