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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
67
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
3116
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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