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AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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AMD AE34G2139U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
AMD AE34G2139U2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
56
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1462
2419
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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