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AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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AMD AE34G2139U2 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
AMD AE34G2139U2 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G2139U2 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
56
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
36
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1462
3372
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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