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AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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AMD R332G1339U1S 2GB vs Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
AMD R332G1339U1S 2GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R332G1339U1S 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
4.1
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
En 1.66% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR2
Latencia en PassMark, ns
25
65
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
4,806.8
Velocidad de escritura, GB/s
4.1
2,784.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
6400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1096
932
AMD R332G1339U1S 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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