RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
73
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
36
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2231
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link