RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
73
106
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.6
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
106
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
1252
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link