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AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3683
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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