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AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3318
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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