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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
73
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3488
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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