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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2086
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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