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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2795
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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