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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2918
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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