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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3187
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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