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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
73
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3524
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
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