RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
3389
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link