RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
73
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
40
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2965
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Informar de un error
×
Bug description
Source link